Ingeniería de aleaciones de InGaN monofásicas para optoelectrónica

Abstract

Se presenta el estudio de dos heteroestructuras InGaN/Si mediante Microscopía Electrónica de Transmisión (TEM) y otras técnicas asociadas, centrándose en la caracterización de la intercara a nivel atómico, en la homogeneidad estructural y composicional de la capa de InGaN, y en sus características ópticas, y en las propiedades de conducción eléctrica de la unión. La novedosa técnica para crecer estas estructuras fue recientemente documentada, al igual que lo han sido en publicaciones y congresos internacionales, los hallazgos realizados en estos materiales, gracias en parte a las propias investigaciones del grupo.