Teorías para el cálculo del espesor crítico y la deformación residual en intercaras semiconductoras
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Show full item recordAuthor/s
González Robledo, David
Date
2013Department
Ciencia de los Materiales e Ingeniería Metalúrgica y Química InorgánicaAbstract
Se presenta los modelos existentes para explicar el inicio y la progresión de la relajación plástica en heteroestructuras semiconductoras. La formación de dislocaciones puede afectar al rendimiento del dispositivo y tiempo de vida. Los electrones interaccionan con las dislocaciones produciendo que los electrones se recombinen con los huecos sin rendir fotones, destruyendo la acción de emisión o absorción óptica; (trampas). Se analizan las distintas etapas de relajación.
Subjects
espesor crítico para la relajación plastica; heteroestructuras semiconductorasCollections
- Material Docente CC. Mat. [15]
- Objetos de Aprendizaje [1159]