@misc{10498/28119,
year = {2013},
url = {http://hdl.handle.net/10498/28119},
abstract = {Se presenta los modelos existentes para explicar el inicio y la progresión de la relajación plástica en heteroestructuras semiconductoras. La formación de dislocaciones puede afectar al rendimiento del dispositivo y tiempo de vida. Los electrones interaccionan con las dislocaciones produciendo que los electrones se recombinen con los huecos sin rendir fotones, destruyendo la acción de emisión o absorción óptica; (trampas). Se analizan las distintas etapas de relajación.},
keywords = {espesor crítico para la relajación plastica},
keywords = {heteroestructuras semiconductoras},
title = {Teorías para el cálculo del espesor crítico y la deformación residual en intercaras semiconductoras},
author = {González Robledo, David},
}