%0 Journal Article 
%A Cottam, Nathan D.
%A Dewes, Benjamin T.
%A Shiffa, Mustaqeem
%A Novikov, Sergei V.
%A Mellor, Christopher J.
%A Makarovsky, Oleg
%A González Robledo, David
%A Ben Fernández, Teresa
%A Patanè, Amalia
%T Thin Ga2O3 Layers by Thermal Oxidation of van der Waals GaSe Nanostructures for Ultraviolet Photon Sensing
%D 2024
%@ 2574-0970
%U http://hdl.handle.net/10498/35921
%X Los semiconductores bidimensionales (2DSEM) basados ​​en cristales de van der Waals ofrecenimportantes vías para las nanotecnologías más allá de las limitaciones de la ley de Moore y las teorías tradicionales.semiconductores, como el silicio (Si). Sin embargo, su aplicación requiere una ingeniería precisa dePropiedades del material y procesos de fabricación escalables. La capacidad de oxidar el Si para formar silicio.dióxido de carbono (SiO2) fue crucial para la adopción del silicio en las tecnologías modernas. Aquí informamos sobre...Oxidación térmica del seleniuro de galio (GaSe) 2DSEM. Las capas de espesor nanométrico se cultivan.por epitaxia de haz molecular sobre zafiro transparente (Al2Oh3) y presentan una simetría centro-simétricapolimorfo de GaSe. El recocido térmico de las capas en un entorno rico en oxígeno promueve la transformación química y la completaconversión de GaSe en una fina capa de Ga cristalino2Oh3, en paralelo con la formación de Ga coherente2Oh3/Alabama2Oh3 Interfaces. VersátilSe demuestran funcionalidades en sensores de fotones basados ​​en GaSe y Ga2Oh3, que van desde el aislamiento eléctrico hasta el aislamiento profundo sin filtrar.Optoelectrónica ultravioleta, liberando el potencial tecnológico de las nanoestructuras de GaSe y sus óxidos amorfos y cristalinos.
%K gallium selenide
%K van der Waals crystals
%K gallium oxide
%K oxidation
%K UV-photonics
%~ Universidad de Cádiz