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dc.contributor.advisorMorales Sánchez, Francisco Miguel 
dc.contributor.authorJosé Manuel Mánuel Delgado
dc.contributor.otherCiencia de los Materiales e Ingeniería Metalúrgica y Química Inorgánicaen_US
dc.date.accessioned2013-09-05T07:29:10Z
dc.date.available2013-09-05T07:29:10Z
dc.date.issued2013-09-05T00:00:00Z
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10498/15527
dc.descriptionMemoria presentada para optar al título de máster en Ciencias y Tecnologías Químicas. Defensa de la memoria: 10 de diciembre de 2009.en_US
dc.description.abstracteste trabajo de investigación se realiza una completa caracterización de distintas heteroestructuras de InAlN con sustrato GaN, usando técnicas basadas en la microscopía electrónica de transmisión (TEM). Este estudio se completa con otros resultados de técnicas basadas en el uso de rayos X e iones secundarios, y que son un buen complemento para llegar a una serie conclusiones que en definitiva han servido para ayudar a los fabricantes a optimizar un producto consistente en capas depositadas de InAlN. El resultado positivo de este proceso de retroalimentación se comprueba mediante la demostración final de capas de InAlN de una calidad estructural sin precedentes.en_US
dc.formatapplication/pdf
dc.language.isospaen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectMicroscopía Electrónica de Transmisiónen_US
dc.subjectInAlNen_US
dc.subjectGaNen_US
dc.titleIngeniería de Capas Delgadas de InAlN para Fotónica y Electrónica de Alta Frecuenciaen_US
dc.typemaster thesisen_US
dc.rights.accessRightsopen access
dc.description.physDescNúmero de páginas del documento total: 107. Primera parte (formación teórica-resumen de periodo lectivo de máster): 12 páginas. Segunda parte (trabajo de investigación): 89 páginas.


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