Teorías para el cálculo del espesor crítico y la deformación residual en intercaras semiconductoras

Abstract

Se presenta los modelos existentes para explicar el inicio y la progresión de la relajación plástica en heteroestructuras semiconductoras. La formación de dislocaciones puede afectar al rendimiento del dispositivo y tiempo de vida. Los electrones interaccionan con las dislocaciones produciendo que los electrones se recombinen con los huecos sin rendir fotones, destruyendo la acción de emisión o absorción óptica; (trampas). Se analizan las distintas etapas de relajación.