RT bachelor thesis
T1 Ingeniería de aleaciones de InGaN monofásicas para optoelectrónica
A1 Jiménez Ríos, Juan Jesús
A2 Ciencia de los Materiales e Ingeniería Metalúrgica y Química Inorgánica
AB Se presenta el estudio de dos heteroestructuras InGaN/Si mediante Microscopía Electrónica de Transmisión (TEM) y otras técnicas asociadas, centrándose en la caracterización de la intercara a nivel atómico, en la homogeneidad estructural y composicional de la capa de InGaN, y en sus características ópticas, y en las propiedades de conducción eléctrica de la unión. La novedosa técnica para crecer estas estructuras fue recientemente documentada, al igual que lo han sido en publicaciones y congresos internacionales, los hallazgos realizados en estos materiales, gracias en parte a las propias investigaciones del grupo.
YR 2013
FD 2013-09-13T00:00:00Z
LK http://hdl.handle.net/10498/15540
UL http://hdl.handle.net/10498/15540
LA spa
DS Repositorio Institucional de la Universidad de Cádiz
RD 07-nov-2026