RT master thesis
T1 Estudios de estructura y composición de heteroestructuras In(N)/InGaN/Si para tecnología solar basada en nuevos conceptos
A1 Jiménez Ríos, Juan Jesús
A2 Ciencia de los Materiales e Ingeniería Metalúrgica y Química Inorgánica
K1 InGaN
K1 semiconductor
K1 celdas solares
K1 heteroestructura
K1 InN
K1 optoelectrónica
AB Se presenta el estudio de cinco heteroestructuras InGaN/Si mediante Microscopía Electrónica de Transmisión (TEM) y otras técnicas asociadas, centrándose en dos aspectos concretos de las mismas: se realizará una caracterización de la intercapa a nivel atómico, así como de las capas de InGaN que se han crecido sobre substratos de silicio y que contienen fracciones molares progresivamente superiores de nitruro de indio. Esto se ha realizado en base a diferentes técnicas de análisis estructural y composicional que servirán para evaluar la calidad cristalina y homogeneidad composicional de las muestras bajo estudio. En función de la muestra estudiada, se encuentran diferentes heteroestructuras InN/InGaN que han sido crecidas mediante una novedosa técnica recientemente documentada por investigadores del ISOM-UPM. Los resultados de estas investigaciones darán pie al futuro desarrollo de nuevos materiales semiconductores, especialmente en su aplicación en energía solar fotovoltaica y en optoelectrónica.
YR 2014
FD 2014-09-04T00:00:00Z
LK http://hdl.handle.net/10498/16635
UL http://hdl.handle.net/10498/16635
LA spa
DS Repositorio Institucional de la Universidad de Cádiz
RD 05-nov-2026