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T1 Teorías para el cálculo del espesor crítico y la deformación residual en intercaras semiconductoras
A1 González Robledo, David
A2 Ciencia de los Materiales e Ingeniería Metalúrgica y Química Inorgánica
K1 espesor crítico para la relajación plastica
K1 heteroestructuras semiconductoras
AB Se presenta los modelos existentes para explicar el inicio y la progresión de la relajación plástica en heteroestructuras semiconductoras. La formación de dislocaciones puede afectar al rendimiento del dispositivo y tiempo de vida. Los electrones interaccionan con las dislocaciones produciendo que los electrones se recombinen con los huecos sin rendir fotones, destruyendo la acción de emisión o absorción óptica; (trampas). Se analizan las distintas etapas de relajación.
YR 2013
FD 2013
LK http://hdl.handle.net/10498/28119
UL http://hdl.handle.net/10498/28119
LA spa
NO Se añade la presentación del tema "Teorías para el cálculo del espesor crítico y la deformación residual" perteneciente al curso de Nanomateriales en el programa de doctorado de Ciencia y Tecnologias Químicas.
DS Repositorio Institucional de la Universidad de Cádiz
RD 05-nov-2026