RT doctoral thesis
T1 Teorías para el cálculo del espesor crítico y la deformación residual
A1 González Robledo, David
A2 Ciencia de los Materiales e Ingeniería Metalúrgica y Química Inorgánica
K1 Intercaras semiconductoras
K1 crecimiento epitaxial
K1 Espesor crítico
K1 deformación residual
AB Una necesidad de la industria microelectrónica ha sido la integración de materiales semiconductores con propiedades de interés en los sustratos comerciales, con el fin de obtener estructuras monolíticas. Así, antes de fabricar obleas de GaAs se intento crecer GaAs sobre substratos de Si, que era una tecnología mucho más establecida o se ha intentado la integración de capas de InGaAs sobre substratos de GaAs. El problema de todas estas heterouniones es la diferencia entre el parámetro reticular de los sustratos comerciales y las epicapas con propiedades especificas que se pretenden integrar. Esta diferencia de parámetro reticular entre capas semiconductoras produce un aumento de la energía elástica del sistema que a partir de un cierto nivel da lugar a la aparición de dislocaciones, que denominaremos de desajuste, que se sitúan en la intercara entre las capas. La formación de estas dislocaciones, y en especial de las dislocaciones de propagación como consecuencia de la interacción entre las DD produce, en general, un deterioro de las propiedades eléctricas y/o ópticas de los dispositivos. Es por este motivo que el estudio de la formación, multiplicación y propagación de dislocaciones en heteroestructuras semiconductoras ha suscitado una importante investigación desde hace décadas. En este curso se pretende dar una visión general de los modelos y teorías aparecidas en la bibliografía científica para explicar las etapas del estado de tensiones que ocurre durante el crecimiento epitaxial de epicapas semiconductoras.En primer lugar hablaremos del concepto de coherencia y semicoherencia de capas epitaxiales. Durante el crecimiento de una película, las primeras monocapas presentan un crecimiento pseudomórfico (coherente) ajustándose al parámetro reticular del sustrato. El estado de deformación y la energía de coherencia son los parámetros estudiados en esta sección. En segundo lugar, estudiaremos la fase de semicoherencia, donde se produce la formación de las dislocaciones de desajuste. Esta fase, donde se produce la relajación plástica, la dividiremos en tres etapas: primera, nucleación de las primeras DD; segunda, donde se produce una multiplicación de las DD que da lugar a una relajación plástica rápida, y tercera, una etapa final de relajación plástica lenta, que se corresponde por analogía a la etapa de endurecimiento mecánico estudiada en metales.
YR 2010
FD 2010-01-28T00:00:00Z
LK http://hdl.handle.net/10498/7406
UL http://hdl.handle.net/10498/7406
LA spa
NO 1.	INDICE	22.	INTRODUCCIÓN	33.	COHERENCIA Y SEMICOHERENCIA	63.1.	ESTADO DE DEFORMACIONES EN HETEROEPITAXIAS DESAJUSTADAS CON CRECIMIENTO PSEUDOMÓRFICO	73.2.	DISLOCACIONES DE DESAJUSTE	103.2.1.	Dislocaciones de desajuste en estructuras fcc crecidas en planos (001)	123.2.2.	Origen de las dislocaciones de desajuste	144.	RELAJACIÓN PLÁSTICA EN HETEROESTRUCTURAS TENSADAS	164.1.	MODELOS DE ESPESOR CRÍTICO DE INICIO DE RELAJACIÓN PLÁSTICA	174.1.1.	Modelo de Frank y van der Merwe	174.1.2.	Modelo de Matthews y Blakeslee	204.1.3.	Modelo de People y Beam	264.1.4.	Modelo de Willis et al	284.1.5.	Efecto de la elección del radio de corte 	334.1.6.	Determinación experimental de CLT	344.2.	ESPESORES CRÍTICOS DE NUCLEACIÓN Y MULTIPLICACIÓN DE DISLOCACIONES DE DESAJUSTE.	494.2.1.	Modelo de Beanland	514.2.2.	Modelo de Dunstan	554.3.	RELAJACIÓN DE LA DEFORMACIÓN ELÁSTICA. ETAPA II	594.3.1.	Modelos de multiplicación y nucleación	594.3.2.	Modelos cinéticos	615.	BIBLIOGRAFÍA	66
DS Repositorio Institucional de la Universidad de Cádiz
RD 06-nov-2026