TY  - GEN 
AU  - González Robledo, David
A4  - Ciencia de los Materiales e Ingeniería Metalúrgica y Química Inorgánica
PY  - 2013
UR  - http://hdl.handle.net/10498/28119
AB  - Se presenta los modelos existentes para explicar el inicio y la progresión de la relajación plástica en heteroestructuras semiconductoras. La formación de dislocaciones puede afectar al rendimiento del dispositivo y tiempo de vida. Los electrones...
LA  - spa
KW  - espesor crítico para la relajación plastica
KW  - heteroestructuras semiconductoras
TI  - Teorías para el cálculo del espesor crítico y la deformación residual en intercaras semiconductoras
ER  -