TY  - GEN 
AU  - Fernández de los Reyes, Daniel
AU  - Utrilla, Antonio D.
AU  - Ben Fernández, Teresa
AU  - Saborido, J.J.
AU  - Ulloa, José María
AU  - Barcena González, Guillermo
AU  - Guerrero Lebrero, María de la Paz
AU  - Guerrero Vázquez, Elisa
AU  - González Robledo, David
A4  - Ingeniería Informática
A4  - Ciencia de los Materiales e Ingeniería Metalúrgica y Química Inorgánica
PY  - 2016
SN  - 1431-9276
UR  - http://hdl.handle.net/10498/32021
AB  - transki-Krastanov In(Ga)As/GaAs quantum dots (QDs) are the subject of great scientific and technological interest, primarily aimed to broaden the emission wavelength towards 1.3-1.55 μm, required for optical fiber telecommunications [1]. More...
LA  - eng
TI  - (S)TEM Analysis of the Strain and Morphology of InAs Quantum Dots using GaAs(Sb)(N) Capping Layers for Solar Cell Applications
DO  - 10.1017/S1431927616000428
ER  -