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dc.contributor.advisorMorales Sánchez, Francisco Miguel
dc.contributor.advisorMánuel Delgado, José Manuel
dc.contributor.authorJiménez Ríos, Juan Jesús
dc.contributor.otherCiencia de los Materiales e Ingeniería Metalúrgica y Química Inorgánicaen_US
dc.date.accessioned2014-09-04T07:04:56Z
dc.date.available2014-09-04T07:04:56Z
dc.date.issued2014-09-04T00:00:00Z
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10498/16635
dc.description.abstractSe presenta el estudio de cinco heteroestructuras InGaN/Si mediante Microscopía Electrónica de Transmisión (TEM) y otras técnicas asociadas, centrándose en dos aspectos concretos de las mismas: se realizará una caracterización de la intercapa a nivel atómico, así como de las capas de InGaN que se han crecido sobre substratos de silicio y que contienen fracciones molares progresivamente superiores de nitruro de indio. Esto se ha realizado en base a diferentes técnicas de análisis estructural y composicional que servirán para evaluar la calidad cristalina y homogeneidad composicional de las muestras bajo estudio. En función de la muestra estudiada, se encuentran diferentes heteroestructuras InN/InGaN que han sido crecidas mediante una novedosa técnica recientemente documentada por investigadores del ISOM-UPM. Los resultados de estas investigaciones darán pie al futuro desarrollo de nuevos materiales semiconductores, especialmente en su aplicación en energía solar fotovoltaica y en optoelectrónica.en_US
dc.formatapplication/pdf
dc.language.isospaen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
dc.subjectInGaNen_US
dc.subjectsemiconductoren_US
dc.subjectceldas solaresen_US
dc.subjectheteroestructuraen_US
dc.subjectInNen_US
dc.subjectoptoelectrónicaen_US
dc.titleEstudios de estructura y composición de heteroestructuras In(N)/InGaN/Si para tecnología solar basada en nuevos conceptosen_US
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/masterThesisen_US
dc.rights.accessRightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess


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