Estudios de estructura y composición de heteroestructuras In(N)/InGaN/Si para tecnología solar basada en nuevos conceptos

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Estudios de estructura y composición de heteroestructuras In(N)/InGaN/Si para tecnología solar basada en nuevos conceptos

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Title: Estudios de estructura y composición de heteroestructuras In(N)/InGaN/Si para tecnología solar basada en nuevos conceptos
Author: Jiménez Ríos, Juan Jesús
Director/Advisor: Morales Sánchez, Francisco Miguel; Mánuel Delgado, José Manuel
Departments: Ciencia de los Materiales e Ingeniería Metalúrgica y Química Inorgánica
Abstract: Se presenta el estudio de cinco heteroestructuras InGaN/Si mediante Microscopía Electrónica de Transmisión (TEM) y otras técnicas asociadas, centrándose en dos aspectos concretos de las mismas: se realizará una caracterización de la intercapa a nivel atómico, así como de las capas de InGaN que se han crecido sobre substratos de silicio y que contienen fracciones molares progresivamente superiores de nitruro de indio. Esto se ha realizado en base a diferentes técnicas de análisis estructural y composicional que servirán para evaluar la calidad cristalina y homogeneidad composicional de las muestras bajo estudio. En función de la muestra estudiada, se encuentran diferentes heteroestructuras InN/InGaN que han sido crecidas mediante una novedosa técnica recientemente documentada por investigadores del ISOM-UPM. Los resultados de estas investigaciones darán pie al futuro desarrollo de nuevos materiales semiconductores, especialmente en su aplicación en energía solar fotovoltaica y en optoelectrónica.
Subject: InGaN ; semiconductor ; celdas solares ; heteroestructura ; InN ; optoelectrónica.
Handle: http://hdl.handle.net/10498/16635
Date: 2014-09-04

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