Morfología de capas de diamante policristalino dopado con boro crecidas mediante CVD

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Morfología de capas de diamante policristalino dopado con boro crecidas mediante CVD

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Title: Morfología de capas de diamante policristalino dopado con boro crecidas mediante CVD
Author: Alegre, Maria de la Paz; Villar, Maria del Pilar; Araújo Gay, Daniel; Achatz, Philippe; Bustarret, Etienne; Williams, o.A.
Departments: Ciencia de los Materiales e Ingeniería Metalúrgica y Química Inorgánica
xmlui.dri2xhtml.METS-1.0.item-source: Libro de resúmenes de XI Congreso Nacional de Materiales Vol. 13 (2010) 798-801
Abstract: Recientemente, se han evidenciado propiedades superconductoras en materiales del grupo IV del sistema periódico, concretamente en Si, diamante y Carburo de Silicio. El origen de tal comportamiento es todavía, en parte, desconocido, aun más para el caso de material policristalino. En el caso del diamante, estudios mediante microscopía electrónica de transmisión han permitido evaluar, en términos morfológicos, la influencia estructural sobre sus propiedades electrónicas. Así pues, se han llevado a cabo observaciones en visión planar (Plan View) y en modo contraste de difracción (CTEM) de capas de diamante policristalino dopado crecidas mediante CVD (Deposición Química en fase Vapor). De acuerdo con previas investigaciones sobre semejantes muestras en sección transversal (Cross Section), los resultados determinan que para capas con un comportamiento superconductor se evidencia un mayor tamaño de grano y juntas de granos de menor ángulo, lo que redunda en una mayor calidad cristalina de la capa. De igual modo, para las muestras estudiadas se ha evaluado que existe un espesor mínimo de capa, del orden de los 120nm, que asegura alcanzar una buena calidad cristalina y por consiguiente, la posibilidad de obtener un comportamiento superconductor en las mismas.
Subject: diamante ; policristalino ; TEM ; superconductividad ; MPCVD.
Handle: http://hdl.handle.net/10498/17166
Date: 2010-01-01

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