Ingeniería de Capas Delgadas de InAlN para Fotónica y Electrónica de Alta Frecuencia

Abstract

este trabajo de investigación se realiza una completa caracterización de distintas heteroestructuras de InAlN con sustrato GaN, usando técnicas basadas en la microscopía electrónica de transmisión (TEM). Este estudio se completa con otros resultados de técnicas basadas en el uso de rayos X e iones secundarios, y que son un buen complemento para llegar a una serie conclusiones que en definitiva han servido para ayudar a los fabricantes a optimizar un producto consistente en capas depositadas de InAlN. El resultado positivo de este proceso de retroalimentación se comprueba mediante la demostración final de capas de InAlN de una calidad estructural sin precedentes.