• español
    • English
  • Login
  • español 
    • español
    • English

UniversidaddeCádiz

Área de Biblioteca, Archivo y Publicaciones
Comunidades y colecciones
Ver ítem 
  •   RODIN Principal
  • Producción Científica
  • Artículos Científicos
  • Ver ítem
  •   RODIN Principal
  • Producción Científica
  • Artículos Científicos
  • Ver ítem
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Cross sectional evaluation of boron doping and defect distribution in homoepitaxial diamond layers

Thumbnail
Identificadores

URI: http://hdl.handle.net/10498/17372

DOI: 10.1002/pssc.201083991

ISSN: 1610-1642

Ficheros
Publicacion (834.6Kb)
Estadísticas
Ver estadísticas
Métricas y Citas
 
Compartir
Exportar a
Exportar a MendeleyRefworksEndNoteBibTexRIS
Metadatos
Mostrar el registro completo del ítem
Autor/es
Araújo Gay, Daniel; Alegre, Maria de la Paz; García, Antonio; Villar, Maria del Pilar; Bustarret, Etienne; Achatz, Philippe; Volpe, Pierre Nicola; Omnés, Franck
Fecha
2011-02-08
Departamento/s
Ciencia de los Materiales e Ingeniería Metalúrgica y Química Inorgánica
Fuente
Physica Stauts solidi C 1-5 (2011)
Resumen
In some diamond-based semiconducting devices, large variations of doping level are required over short distances. Tools to determine doping level and defects distribution should therefore be developed. The present contribution shows the capabilities of electron microscopy in this field. Focused ion beam (FIB-dual beam) cross section preparations allowed evaluating doping level in highly boron doped sample with doping transition down to some nm by diffraction contrast mode of transmission electron microscopy (CTEM) and by high angle annular dark field mode of scanning transmission electron microscopy (HAADF-STEM). The sensibility of the latter is around 1019cm-3 and, thus, cathodoluminescence (CL)is required for lower doping levels. Cross sectional analysis on FIB prepared lamella allowed to separate the epilayer behaviour from that of the substrate. Mid-gap centers involving boron, hydrogen and, for some peaks, also nitrogen are revealed. sp2 bonds are also present in the grown epilayer. These transitions make difficult the observation of excitonic recombinations in the cross section configuration.
Materias
homoepitaxial diamond, boron-doped, TEM, HAADF and CL; homoepitaxial diamond; boron-doped; TEM; HAADF and CL
Colecciones
  • Artículos Científicos [3022]
  • Artículos Científicos IMEYMAT [46]

Listar

Todo RODINComunidades y ColeccionesPor fecha de publicaciónAutoresTítulosMateriasEsta colecciónPor fecha de publicaciónAutoresTítulosMaterias

Mi cuenta

AccederRegistro

Estadísticas

Ver Estadísticas de uso

Información adicional

Acerca de...Deposita en RODINPolíticasNormativasDerechos de autorEnlaces de interésEstadísticasNovedadesPreguntas frecuentes

RODIN está accesible a través de

OpenAIREOAIsterRecolectaHispanaEuropeanaBaseDARTOATDGoogle Académico

Enlaces de interés

Sherpa/RomeoDulcineaROAROpenDOARCreative CommonsORCID

RODIN está gestionado por el Área de Biblioteca, Archivo y Publicaciones de la Universidad de Cádiz

ContactoSugerencias